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軟題庫 學(xué)習(xí)課程
試卷年份2016年上半年
試題題型【單選題】
試題內(nèi)容

設(shè)有一個(gè)16K ×32位的存儲器(即每個(gè)存儲單位含32位),則其存儲單元的地址寬度(  )。
A.14
B.16
C.32
D.48

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相關(guān)試題

2題: 按照 (  )  ,可將計(jì)算機(jī)分為RISC(精簡指令集計(jì)算機(jī))和CISC(復(fù)雜指令集計(jì)算機(jī))。
A.規(guī)模和處理
B.是否通過
C.CPU的指令系統(tǒng)架構(gòu)        
D.?dāng)?shù)據(jù)和指令的表示方式答案解析與討論:m.xiexiliangjiufa.com/st/3126827371.html

3題: 微機(jī)系統(tǒng)中的系統(tǒng)總線(如PCI)用來連接各功能部件以構(gòu)成一個(gè)完整的系統(tǒng),它 需包括三種不同功能的總線,即(  )。
A.?dāng)?shù)據(jù)總線、地址總線和控制總線
B.同步總線、異步總線和通信總線   
C.內(nèi)部總線、外部總線和片內(nèi)總線
D.并行總線、串行總線和USB總線答案解析與討論:m.xiexiliangjiufa.com/st/3126915429.html

4題: 以下關(guān)于SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲器)和DRAM(動態(tài)隨機(jī)存儲器)的說法中,正確的是(  )。
A.SRAM的內(nèi)容是不變的,,DRAM的內(nèi)容是動態(tài)變化的
B.DRAM斷電時(shí)內(nèi)容會丟失,SRAM 的內(nèi)容斷電后仍能保持記憶
C.SRAM的內(nèi)容是只讀的,DRAM的內(nèi)容是可讀可寫的
D.SRAM和DRAM都是可讀可寫的,但DRAM的內(nèi)容需要定期刷新答案解析與討論:m.xiexiliangjiufa.com/st/312701101.html

6題: 對有關(guān)數(shù)據(jù)加以分類、統(tǒng)計(jì)、分析,屬于計(jì)算機(jī)在(  )方面的應(yīng)用。
A.?dāng)?shù)值計(jì)算   
B.?dāng)?shù)據(jù)處理   
C.輔助設(shè)計(jì)   
D.實(shí)時(shí)控制答案解析與討論:m.xiexiliangjiufa.com/st/312724983.html

7題: 將計(jì)算機(jī)中可執(zhí)行的程序轉(zhuǎn)換為高級語言程序的過程稱為( )
A.反編譯  
B.交叉編譯   
C.反匯編   
D.解釋答案解析與討論:m.xiexiliangjiufa.com/st/3127321506.html

8題: 程序(或算法)的三種基本控制結(jié)構(gòu)為(  )。
A.順序、逆序和亂序  
B.順序、選擇和循環(huán)
C.遞推、遞歸和循環(huán) 
D.順序、鏈?zhǔn)胶退饕鸢附馕雠c討論:m.xiexiliangjiufa.com/st/3127419700.html